NAND 플래시 메모리 (NAND Flash Memory)-배경,원리,장점,단점,활용,전망
배경NAND 플래시 메모리는 1987년 Toshiba에서 처음 개발된 비휘발성 저장 장치입니다. 이 메모리는 전원을 꺼도 데이터가 유지되며, 디지털 카메라, 스마트폰, USB 드라이브, SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 등 다양한 전자기기에서 중요한 저장 매체로 사용됩니다. NAND 플래시 메모리는 높은 저장 용량과 빠른 읽기/쓰기 속도로 인해 현대 정보화 사회에서 필수적인 기술로 자리잡았습니다.원리NAND 플래시 메모리는 메모리 셀 어레이로 구성되며, 각 셀은 플로팅 게이트 트랜지스터로 이루어져 있습니다. NAND 플래시 메모리의 주요 작동 원리는 다음과 같습니다:쓰기 (Programming): 전압을 가하여 플로팅 게이트에 전자를 주입함으로써 데이터를 저장합니다.읽기 (Reading): 각 셀의 전압..
2024. 5. 17.
