반응형 ASML1 EUV 극자외선 리소그래피-배경, 원리, 장점, 단점, 활용, 전망 배경극자외선 리소그래피(EUV Lithography)는 반도체 제조에서 미세 패턴을 웨이퍼에 전사하기 위해 사용되는 첨단 리소그래피 기술입니다. 기존의 DUV(Deep Ultraviolet) 리소그래피가 193nm 파장을 사용하는 것에 반해, EUV 리소그래피는 약 13.5nm의 매우 짧은 파장을 사용합니다. 이 기술은 반도체 소자의 크기를 더욱 줄여 집적도를 높이기 위한 목적으로 개발되었습니다. 2000년대 초반부터 연구가 활발히 진행되었으며, 2010년대 후반에 상용화되었습니다.원리EUV 리소그래피의 작동 원리는 다음과 같습니다:EUV 광원 생성: 주로 레이저 유도 플라즈마(LPP) 방식이 사용됩니다. 강력한 레이저가 주석(tin) 드롭렛에 조사되어 플라즈마를 생성하고, 이 과정에서 13.5nm 파장.. 2024. 5. 19. 이전 1 다음 반응형