반도체 관련 용어 정리 2탄

1. 파운드리 (Foundry)
   • 설명: 반도체 제조 전문 업체로, 설계 회사가 의뢰한 반도체 칩을 생산.
2. IDM (Integrated Device Manufacturer)
   • 설명: 반도체 설계와 제조를 모두 수행하는 회사. 예: 인텔, 삼성전자.
3. SoC (System on Chip)
   • 설명: 하나의 칩에 프로세서, 메모리, 주변장치 등을 모두 통합한 반도체.
4. ASIC (Application-Specific Integrated Circuit)
   • 설명: 특정 용도로 설계된 맞춤형 집적 회로.
5. EDA (Electronic Design Automation)
   • 설명: 반도체 설계 및 제조를 지원하는 소프트웨어 도구의 모음.
6. 핀 (Pin)
   • 설명: 반도체 칩과 외부 회로를 연결하는 전기 접점.
7. 바이어스 (Bias)
   • 설명: 반도체 소자의 동작을 제어하기 위해 걸어주는 전압.
8. 클럭 속도 (Clock Speed)
   • 설명: 프로세서가 초당 수행할 수 있는 명령의 수. GHz 단위로 측정.
9. 버스 (Bus)
   • 설명: 데이터 전송을 위한 통로. CPU, 메모리, 주변장치 간 데이터를 교환.
10. 루프 게인 (Loop Gain)
    • 설명: 피드백 회로에서 신호의 증폭 비율.
11. 캐리어 (Carrier)
    • 설명: 전하를 운반하는 입자. 전자(음전하)와 정공(양전하).
12. 일렉트로포토그래피 (Electrophotography)
    • 설명: 전자적 방법을 사용한 사진 촬영 기술.
13. 갭필러 (Gap Filler)
    • 설명: 반도체 칩과 패키지 사이의 열 전도 물질.
14. 어닐링 (Annealing)
    • 설명: 반도체 웨이퍼를 열처리하여 결함을 줄이고 특성을 향상시키는 과정.
15. 기판 (Substrate)
    • 설명: 반도체 소자를 형성하는 기본 재료.
16. 세정 (Cleaning)
    • 설명: 웨이퍼 제조 과정에서 불순물과 오염을 제거하는 단계.
17. 비아 (Via)
    • 설명: 반도체 층간을 전기적으로 연결하는 구멍.
18. 레이어 (Layer)
    • 설명: 반도체 제조 시 각 공정 단계에서 형성되는 층.
19. 핀펫 (FinFET)
    • 설명: 3차원 구조의 트랜지스터로, 평면형 트랜지스터보다 성능과 효율이 높음.
20. 스퍼터링 (Sputtering)
    • 설명: 물질을 얇은 막으로 증착하는 공정.
21. 리플로우 (Reflow)
    • 설명: 솔더링 공정을 통해 반도체 부품을 기판에 접합하는 과정.
22. 솔더링 (Soldering)
    • 설명: 금속을 녹여 전기 접점을 형성하는 공정.
23. 기체 확산 (Gas Diffusion)
    • 설명: 반도체 내부에 불순물을 도입하는 방법.
24. 스위칭 속도 (Switching Speed)
    • 설명: 트랜지스터가 켜지거나 꺼지는 데 걸리는 시간.
25. 디핑 (Doping)
    • 설명: 반도체의 전기적 특성을 변화시키기 위해 불순물을 첨가하는 과정.
26. 에칭 (Etching)
    • 설명: 반도체 제조 과정에서 특정 부분을 제거하는 공정.
27. 캐리어 농도 (Carrier Concentration)
    • 설명: 반도체 내 자유 전자와 정공의 밀도.
28. 메사 (Mesa)
    • 설명: 반도체 소자 구조에서 돌출된 영역.
29. 디바이스 (Device)
    • 설명: 특정 기능을 수행하는 반도체 소자.
30. 피에스퍼 (Phosphor)
    • 설명: 발광 소자에서 빛을 생성하는 물질

 
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반도체 관련 용어 정리